4.1.1 芯片整體

4.1.1.1 芯片不應有明顯的缺角、裂紋、劃傷或氣泡。

4.1.1.2 芯片各區域尺寸、位置與設計值的偏差不大于10%。

4.1.1.3 芯片厚度偏差不應大于10%。

4.1.1.4 芯片污染面積不應大于10%。

4.1.2 芯片電J

4.1.2.1 金屬電J表面應均勻，呈現原金屬光澤。

4.1.2.2 金屬電J缺損、劃傷、污染面積不應大于10%,區域應無(wú)缺損。

4.1.2.3 金屬電J邊緣多余金屬面積不應大于10%。

4.1.2.4 金屬電J各部位不應有斷開(kāi)現象。 4 . 1 . 3芯片鍍層

芯片正面和背面的鍍層脫落不應超過(guò)鍍層面積的10%。

4.1.4 芯片排列

芯片排列應符合下列要求：

a) 芯片排列不應連接、傾倒或翻轉等現象；

b) 單顆芯片偏轉角度不應超過(guò)15°;

c) 相鄰兩個(gè)芯片錯位應小于整個(gè)芯片寬度的三分之一，且錯位尺寸不應大于100μ m。

附件：LED芯片技術(shù)規范 T/QGCML 585—2022[團體標準]